SSD - Lenovo Intel P5520 - 4XB7A76777
Varenummer: 3209010

Lenovo Intel P5520

SSD, Read Intensive, kryptert, 3.84 TB, hot-swap, 3.5", U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.01, for ThinkSystem SR630 V2; SR645; SR650 V2; SR665; ST650 V2

100 080,00 kr 80 064,00 kr eksl. mva
Gratis frakt (privatkunde)
Bestillingsvare, leveringstiden kan ikke opplyses.
proshop-xmas-gran proshop-xmas-gran

UTVIDET JULERETURRETT FRAM TIL 31. JANUAR 2025

Proshop tilbyr utvidet Juleretur til privatkunder på ordre kjøpt i perioden 1. november til 23. desember 2024. Les betingelsene her.

The Lenovo Intel P5520 solid state drive redefines storage solutions with its performance and reliability. Designed for read-intensive applications, it boasts a 3.84 TB capacity and leverages the speed of its U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe) interface to deliver internal data rates of up to 6.7 GBps. With features like 144-layer Intel 3D NAND TLC, end-to-end data path protection, and enhanced power loss data protection, it ensures your data is not only fast but secure. Thermal monitoring and throttling prevent overheating, maintaining optimal performance. Additionally, its robust design is capable of handling shock and vibration, making it a durable choice for any setup. The drive's advanced encryption standards, including Self-Encrypting Drive (SED) and TCG Opal Encryption 2.01, provide the security needed for sensitive data. With a mean time between failures (MTBF) of 2,000,000 hours, the Lenovo Intel P5520 is a reliable solution for expanding your storage capabilities.

Produsent
Varenummer
3209010
Model
4XB7A76777
Ean
0889488587278
Til produsentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Intel P5520 - SSD - Read Intensive - 3.84 TB - U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type
Fast tilstand-stasjon - hot-swap
Kapasitet
3.84 TB
Maskinvarekryptering
Ja
NAND-flashminnetype
3D triple-level cell (TLC)
Produktformfaktor
3.5"
Grensesnitt
U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Drevklasse
Read Intensive
Features
Enhanced Power Loss Data Protection, Termisk struping, End-to-end databanebeskyttelse, Thermal Monitoring, 144-lags Intel 3D NAND TLC, S.M.A.R.T.
Fabrikantgaranti
1-årsgaranti
Designet for
ThinkSystem SR630 V2 7Z70 (3.5"), 7Z71 (3.5"); SR645 7D2X (3.5"), 7D2Y (3.5"); SR650 V2 7Z72 (3.5"), 7Z73 (3.5"); SR665 7D2V (3.5"), 7D2W (3.5"); ST650 V2 7Z74 (3.5"), 7Z75 (3.5")

Generelt

Enhetstype
Fast tilstand-stasjon - hot-swap
Kapasitet
3.84 TB
Maskinvarekryptering
Ja
NAND-flashminnetype
3D triple-level cell (TLC)
Produktformfaktor
3.5"
Grensesnitt
U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Features
Enhanced Power Loss Data Protection, Termisk struping, End-to-end databanebeskyttelse, Thermal Monitoring, 144-lags Intel 3D NAND TLC, S.M.A.R.T.

Ytelse

Drive Writes Per Day (DWPD)
1
SSD-holdbarhet
7 PB
Drevklasse
Read Intensive
Intern datahastighet
6.7 GBps (les) / 3.6 GBps (skriv)
4 KB-direktelesning
1000000 IOPS
4 KB-direkteskrivning
200000 IOPS
Gjennomsnittlig ventetid
10 μs

Pålitelighet

MTBF
2,000,000 timer
Uopprettelige feil
1 pr. 10^17

Utvidelse og konnektivitet

Grensesnitt
1 x PCI Express 4.0 x4 U.2 (NVMe)
Kompatibel brønn
3.5"

Strømforsyning

Strømforbruk
15 watt (lese)
15 watt (skrive)

Diverse

Tilpassede standarder
BSMI CNS 13438, EN 60950-1 Second Edition, RoHS 2011/65/EU, LVD 2006/95/EC, WEEE 2002/96/EC, EN55024:1998, CAN/CSA-CEI/IEC CISPR 22:02, FCC CFR47 Part 15 B Class B, KCC Article 11.1, EN 55022:2006, UL/CSA EN-60950-1 2nd Edition, C-Tick AS/NZS3584

Miljøparametere

Min. driftstemperatur
0 °C
Maks. Driftstemperatur
70 °C
Driftsfuktighet
5 - 90 % (ikke-kondenserende)
Støttoleranse (operativ)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrasjonstoleranse (operativ)
2.17 gRMS @ 5-700 Hz

Ovenstående informasjon/spesifikasjoner er veiledende og kan uten varsel bli endret av produsenten. Det tas forbehold om trykkfeil og illustrerende bilder. Enkelte tekster kan være autogenerert eller maskinoversatt, så derfor kan det forekomme tekster som virker misvisende.