SSD - Samsung 970 EVO Plus SSD M.2 2280 - 1TB - MZ-V7S1T0BW
Varenummer: 2695179
MZ-V7S1T0BW
MZ-V7S1T0BW
MZ-V7S1T0BW
MZ-V7S1T0BW
MZ-V7S1T0BW

Samsung 970 EVO Plus SSD M.2 2280 - 1TB

SSD (Solid state drive), 1 TB, intern
Datahastighet: 3500 MBps (les) / 3300 MBps (skriv). IOPS: 600000 (les) / 550000 (skriv), 1GB LPDDR4 cache, M.2 2280 (80mm), M.2 2280 (80mm), PCI-Express 3.0 x4 NVMe 1.3 (Non-Volatile Memory Express), 256-bit AES kryptering, TCG Opal Encryption - Samsung Phoenix Controller

På lager
1 246,00 kr 996,80 kr eksl. mva
Gratis frakt (privatkunde)
+15 stk. På lager - 1-3 dager til levering
proshop-xmas-gran proshop-xmas-gran

UTVIDET JULERETURRETT FRAM TIL 31. JANUAR 2025

Proshop tilbyr utvidet Juleretur til privatkunder på ordre kjøpt i perioden 1. november til 23. desember 2024. Les betingelsene her.

Det ultimate innen ytelse, oppgradert. Raskere enn 970 EVO, er 970 EVO Plus drevet av den nyeste V-NAND-teknologien og fastvareoptimalisering. Den maksimerer potensialet av NVMe-båndbredde for uslåelig databehandling. 970 EVO Plus når sekvensielle lese-/skrivehastigheter på opptil 3 500/3 300 MB/s, opptil 57% raskere enn 970 EVO. Den nyeste V-NAND-teknologien – som gir større NAND-ytelse og høyere strømeffektivitet – sammen med optimert fastvare, en Phoenix-kontroller og Intelligent TurboWrite-boosthastighet.

Produsent
Varenummer
2695179
Model
MZ-V7S1T0BW
Ean
8801643628086
Til produsentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - SSD - 1 TB - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Type
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
1 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Trippelnivåcelle (TLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Bufferstørrelse
1 GB
Features
TRIM-støtte, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Dimensjoner (BxDxH)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vekt
8 g
Fabrikantgaranti
5 års garanti

Generelt

Enhetstype
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
1 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Trippelnivåcelle (TLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Bufferstørrelse
1 GB
Features
TRIM-støtte, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Bredde
22.15 mm
Dybde
80.15 mm
Høyde
2.38 mm
Vekt
8 g

Ytelse

SSD-holdbarhet
600 TB
Intern datahastighet
3500 MBps (les) / 3300 MBps (skriv)
4 KB-direktelesning
19000 IOPS
4 KB-direkteskrivning
60000 IOPS
Maksimum 4 KB-direkteskrivning
550000 IOPS
Maksimum 4 KB-vilkårlig lesning
600000 IOPS

Pålitelighet

MTBF
1,500,000 timer

Utvidelse og konnektivitet

Grensesnitt
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibel brønn
M.2 2280

Strømforsyning

Strømforbruk
6 watt (gjennomsnitt)
9 watt (maksimum)
30 mW (tomgangsmaksimum)

Diverse

Tilpassede standarder
IEEE 1667

Ovenstående informasjon/spesifikasjoner er veiledende og kan uten varsel bli endret av produsenten. Det tas forbehold om trykkfeil og illustrerende bilder. Enkelte tekster kan være autogenerert eller maskinoversatt, så derfor kan det forekomme tekster som virker misvisende.