Samsung 990 EVO Plus SSD - 1TB - M.2 2280 - PCIe 4.0
SSD (Solid State Drive), 1 TB, innvendig, overførselshastighet: 7150 MB/s (les) / 6300 MB/s (skriv), IOPS: 850000 IOPS (les) / 1350000 IOPS (skriv), størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 / PCI-Express 5.0 x2 forbindelse, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller
På lager
1 290,00 kr
1 032,00 kr eksl. mva
Gratis frakt (privatkunde)
9 stk.
På lager - 1-3 dager til levering
UTVIDET JULERETURRETT FRAM TIL 31. JANUAR 2025
Proshop tilbyr utvidet Juleretur til privatkunder på ordre kjøpt i perioden 1. november til 23. desember 2024. Les betingelsene her.
The Samsung 990 EVO Plus is an internal solid state drive designed for demanding applications. With a robust capacity of 1 TB, it ensures ample storage for a variety of files and applications. The drive utilizes PCI Express 5.0 and boasts internal data rates of up to 7150 MBps, allowing for quick data retrieval and minimal load times. Samsung’s V-NAND TLC Technology enhances performance and endurance, making it suitable for both everyday computing and intensive tasks. This drive is engineered to withstand a range of environmental conditions, operating effectively in temperatures from 0°C to 70°C and withstanding storage temperatures as low as -40°C and as high as 85°C. It features TRIM support and an Auto Garbage Collection Algorithm, ensuring optimal performance over time. Security is prioritized with hardware encryption and compliance with TCG Opal Encryption 2.0, safeguarding data against unauthorized access.
Produsent
Varenummer
3303620
Model
MZ-V9S1T0BW
Ean
8806095575674
Til produsentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Type
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
1 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Trippelnivåcelle (TLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Features
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep-støtte, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-støtte, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Dimensjoner (BxDxH)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vekt
9 g
Fabrikantgaranti
5 års garanti
Generelt
Enhetstype
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
1 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Trippelnivåcelle (TLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Features
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep-støtte, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-støtte, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Bredde
22.15 mm
Dybde
80.15 mm
Høyde
2.38 mm
Vekt
9 g
Ytelse
Intern datahastighet
7150 MBps (les) / 6300 MBps (skriv)
Maksimum 4 KB-direkteskrivning
1350000 IOPS
Maksimum 4 KB-vilkårlig lesning
850000 IOPS
Pålitelighet
MTBF
1.500.000 timer
Utvidelse og konnektivitet
Kompatibel brønn
M.2 2280
Strømforsyning
Strømforbruk
4.3 watt (lese)
4.2 watt (skrive)
60 mW (standby)
5 mW (dvalemodus)
4.2 watt (skrive)
60 mW (standby)
5 mW (dvalemodus)
Programvare & Systemkrav
Inkludert programvare
Samsung Magician Software
Diverse
Innbyggingsmateriale
Nikkelbelegg
Ovenstående informasjon/spesifikasjoner er veiledende og kan uten varsel bli endret av produsenten. Det tas forbehold om trykkfeil og illustrerende bilder. Enkelte tekster kan være autogenerert eller maskinoversatt, så derfor kan det forekomme tekster som virker misvisende.