Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Uten varmespreder - M.2 2280 - PCIe 4.0
SSD (Solid State Drive), 4 TB, innvendig, overførselshastighet: 7450 MB/s (les) / 6900 MB/s (skriv), IOPS: 1400000 IOPS (les) / 1550000 IOPS (skriv), 4GB LPDDR4 RAM, størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 forbindelse, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), maskinvarekryptering: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, farge: svart
4 190,00 kr
3 352,00 kr eksl. mva
Gratis frakt (privatkunde)
Fjernlager, 2-4 dager til forsendelse (Forventet på eget lager 28.01.2025)
The Samsung 990 PRO solid state drive combines high capacity storage, rapid data transfer speeds, and advanced security features into a reliable and efficient storage solution. With a 4 TB capacity, it offers ample space for large digital libraries, while the PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures swift data access and transfer speeds of up to 7450 MBps read and 6900 MBps write. Advanced security is provided through 256-bit AES hardware encryption, protecting sensitive data against unauthorized access. Additionally, features like Dynamic Thermal Guard protection and low power consumption modes ensure the drive operates efficiently and safely, making it an ideal choice for demanding applications and multitasking environments.
Produsent
Varenummer
3103448
Model
MZ-V9P4T0BW
Ean
8806094947205
Til produsentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
4 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Multinivåscelle (MLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Features
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-støtte, Garbage Collection-teknologi, Device Sleep-støtte, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Dimensjoner (BxDxH)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Vekt
9 g
Generelt
Enhetstype
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
4 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Multinivåscelle (MLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Features
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-støtte, Garbage Collection-teknologi, Device Sleep-støtte, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Bredde
22 mm
Dybde
80 mm
Høyde
2.3 mm
Vekt
9 g
Ytelse
Intern datahastighet
7450 MBps (les) / 6900 MBps (skriv)
Maksimum 4 KB-direkteskrivning
1550000 IOPS
Maksimum 4 KB-vilkårlig lesning
1600000 IOPS
Pålitelighet
MTBF
1,500,000 timer
Utvidelse og konnektivitet
Grensesnitt
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibel brønn
M.2 2280
Strømforsyning
Strømforbruk
5.5 watt (gjennomsnitt)
55 mW (inaktiv)
55 mW (inaktiv)
Programvare & Systemkrav
Inkludert programvare
Samsung Magician Software
Diverse
Tilpassede standarder
IEEE 1667
Ovenstående informasjon/spesifikasjoner er veiledende og kan uten varsel bli endret av produsenten. Det tas forbehold om trykkfeil og illustrerende bilder. Enkelte tekster kan være autogenerert eller maskinoversatt, så derfor kan det forekomme tekster som virker misvisende.