Samsung PM9A3 SSD - 3.8TB - M.2 22110 (110mm) PCIe 4.0
SSD (Solid State Drive), 3.84 TB, innvendig, overførselshastighet: 6900 MB/s (les) / 4100 MB/s (skriv), IOPS: 1000000 IOPS (les) / 180000 IOPS (skriv), størrelse: U.2 / 2.5", PCI-Express 4.0 x4 forbindelse, NVMe 1.4 (Non-Volatile Memory Express), maskinvarekryptering: 256-XTS bit TCG Opal, Samsung Elpis controller, optimalisert for serverbruk
7 528,00 kr
6 022,40 kr eksl. mva
Gratis frakt (privatkunde)
Bestillingsvare, 8-10 dager til forsendelse
The Samsung SSD PM9A3 presents outstanding performance with instant responsiveness to the host system, by applying the Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 interface standard, as well as highly efficient Non-Volatile Memory Express (NVMe) Protocol.
By combining the enhanced reliability Samsung NAND Flash memory silicon with NAND Flash management technologies, the Samsung SSD PM9A3 delivers the extended endurance of up to 1.3 drive writes per day over 3 years, which is suitable for enterprise applications.
In addition, the Samsung SSD PM9A3 supports Power Loss Protection (PLP). PLP solution can guarantee that data issued by the host system are written to the storage media without any loss in the event of sudden power off or sudden power failure.
By combining the enhanced reliability Samsung NAND Flash memory silicon with NAND Flash management technologies, the Samsung SSD PM9A3 delivers the extended endurance of up to 1.3 drive writes per day over 3 years, which is suitable for enterprise applications.
In addition, the Samsung SSD PM9A3 supports Power Loss Protection (PLP). PLP solution can guarantee that data issued by the host system are written to the storage media without any loss in the event of sudden power off or sudden power failure.
Produsent
Varenummer
2971898
Model
MZ1L23T8HBLA-00A07
Ean
8592978395070
Til produsentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung PM9A3 MZ1L23T8HBLA - SSD - 3.84 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
3.84 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES-XTS
NAND-flashminnetype
Multinivåscelle (MLC)
Produktformfaktor
M.2 22110
Grensesnitt
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Features
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Dimensjoner (BxDxH)
22 mm x 110 mm x 3.8 mm
Vekt
20 g
Generelt
Enhetstype
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
3.84 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES-XTS
NAND-flashminnetype
Multinivåscelle (MLC)
Produktformfaktor
M.2 22110
Grensesnitt
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Byte per sektor
512
Features
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Bredde
22 mm
Dybde
110 mm
Høyde
3.8 mm
Vekt
20 g
Ytelse
Intern datahastighet
5500 MBps (les) / 2000 MBps (skriv)
4 KB-direktelesning
800000 IOPS
4 KB-direkteskrivning
85000 IOPS
Pålitelighet
MTBF
2,000,000 timer
Uopprettelige feil
1 pr. 10^17
Utvidelse og konnektivitet
Grensesnitt
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibel brønn
M.2 22110
Strømforsyning
Strømforbruk
8.2 watt (lese)
8.2 watt (skrive)
2.5 watt (inaktiv)
8.2 watt (skrive)
2.5 watt (inaktiv)
Diverse
Tilpassede standarder
TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfri, RCM
Ovenstående informasjon/spesifikasjoner er veiledende og kan uten varsel bli endret av produsenten. Det tas forbehold om trykkfeil og illustrerende bilder. Enkelte tekster kan være autogenerert eller maskinoversatt, så derfor kan det forekomme tekster som virker misvisende.