Samsung 990 EVO SSD - 1TB - PCIe 5.0 - M.2 2280
SSD (Solid State Drive), 1 TB, innvendig, overførselshastighet: 5000 MB/s (les) / 4200 MB/s (skriv), IOPS: 680000 IOPS (les) / 800000 IOPS (skriv), størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 / PCI-Express 5.0 x2 forbindelse, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller, software: Samsung Magician software, farge: svart
På lager
1 188,00 kr
950,40 kr eksl. mva
Gratis frakt (privatkunde)
7 stk.
På lager - 1-3 dager til levering
UTVIDET JULERETURRETT FRAM TIL 31. JANUAR 2025
Proshop tilbyr utvidet Juleretur til privatkunder på ordre kjøpt i perioden 1. november til 23. desember 2024. Les betingelsene her.
The Samsung 990 EVO solid state drive combines speed, capacity, and security to offer a reliable storage solution. With a 1 TB capacity, it provides ample space for all your storage needs. The drive has impressive read speeds of up to 5000 MBps and write speeds of up to 4200 MBps, ensuring quick boot times and fast access to your data. It features PCI Express 4.0 x4 and PCI Express 5.0 x2 interfaces for versatile and high-speed connectivity. Security is a priority, with 256-bit AES hardware encryption and TCG Opal Encryption 2.0 safeguarding your sensitive data. Additionally, the Dynamic Thermal Guard protection prevents overheating, maintaining reliable performance. Whether for work or play, the Samsung 990 EVO is designed to meet the demands of high-performance computing environments.
Produsent
Varenummer
3224558
Model
MZ-V9E1T0BW
Ean
8806095300276
Til produsentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 EVO MZ-V9E1T0BW - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Type
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
1 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Trippelnivåcelle (TLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Features
TRIM-støtte, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep-støtte, Samsung V-NAND TLC Technology, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Dimensjoner (BxDxH)
22 mm x 80 mm x 2.38 mm
Vekt
9 g
Fabrikantgaranti
5 års garanti
Generelt
Enhetstype
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
1 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Trippelnivåcelle (TLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Features
TRIM-støtte, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep-støtte, Samsung V-NAND TLC Technology, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Bredde
22 mm
Dybde
80 mm
Høyde
2.38 mm
Vekt
9 g
Ytelse
Intern datahastighet
5000 MBps (les) / 4200 MBps (skriv)
4 KB-direktelesning
20000 IOPS
4 KB-direkteskrivning
90000 IOPS
Maksimum 4 KB-direkteskrivning
800000 IOPS
Maksimum 4 KB-vilkårlig lesning
680000 IOPS
Pålitelighet
MTBF
1.500.000 timer
Utvidelse og konnektivitet
Kompatibel brønn
M.2 2280
Strømforsyning
Strømforbruk
5.5 watt (lese)
4.7 watt (skrive)
60 mW (standby)
4.7 watt (skrive)
60 mW (standby)
Programvare & Systemkrav
Inkludert programvare
Samsung Magician Software
Diverse
Tilpassede standarder
IEEE 1667
Pakkedetaljer
Boks
Ovenstående informasjon/spesifikasjoner er veiledende og kan uten varsel bli endret av produsenten. Det tas forbehold om trykkfeil og illustrerende bilder. Enkelte tekster kan være autogenerert eller maskinoversatt, så derfor kan det forekomme tekster som virker misvisende.