Samsung 990 EVO SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280
SSD (Solid State Drive), 2 TB, innvendig, overførselshastighet: 5000 MB/s (les) / 4200 MB/s (skriv), IOPS: 700000 IOPS (les) / 800000 IOPS (skriv), størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 / PCI-Express 5.0 x2 forbindelse, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller, software: Samsung Magician software, farge: svart
På lager
1 855,00 kr
1 484,00 kr eksl. mva
Gratis frakt (privatkunde)
6 stk.
På lager - 1-3 dager til levering
UTVIDET JULERETURRETT FRAM TIL 31. JANUAR 2025
Proshop tilbyr utvidet Juleretur til privatkunder på ordre kjøpt i perioden 1. november til 23. desember 2024. Les betingelsene her.
The Samsung 990 EVO solid state drive offers high capacity, swift data transfer speeds, and advanced security features for an effective storage solution. With a 2 TB capacity and speeds of up to 5000 MBps for reading and 4200 MBps for writing, it enhances your computing experience. The drive utilizes a PCI Express 5.0 x4 (NVMe) interface for efficient data transfers and operation. Security is prioritized with 256-bit AES hardware encryption and TCG Opal Encryption 2.0, ensuring your data is protected. Additionally, Dynamic Thermal Guard protection helps prevent overheating, maintaining performance during demanding tasks. Suitable for both professional and personal use, the Samsung 990 EVO is built to support high-performance computing environments.
Produsent
Varenummer
3224559
Model
MZ-V9E2T0BW
Ean
8806095300269
Til produsentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - 2 TB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Type
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
2 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Trippelnivåcelle (TLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Features
TRIM-støtte, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep-støtte, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM-cache, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Dimensjoner (BxDxH)
22 mm x 80 mm x 2.38 mm
Vekt
9 g
Fabrikantgaranti
5 års garanti
Generelt
Enhetstype
Fast tilstand-stasjon - intern
Kapasitet
2 TB
Maskinvarekryptering
Ja
Krypteringsalgoritme
256-bit AES
NAND-flashminnetype
Trippelnivåcelle (TLC)
Produktformfaktor
M.2 2280
Grensesnitt
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Features
TRIM-støtte, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep-støtte, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM-cache, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Bredde
22 mm
Dybde
80 mm
Høyde
2.38 mm
Vekt
9 g
Ytelse
Intern datahastighet
5000 MBps (les) / 4200 MBps (skriv)
4 KB-direktelesning
22000 IOPS
4 KB-direkteskrivning
90000 IOPS
Maksimum 4 KB-direkteskrivning
800000 IOPS
Maksimum 4 KB-vilkårlig lesning
700000 IOPS
Utvidelse og konnektivitet
Kompatibel brønn
M.2 2280
Strømforsyning
Strømforbruk
5.4 watt (lese)
4.7 watt (skrive)
4.7 watt (skrive)
Programvare & Systemkrav
Inkludert programvare
Samsung Magician Software
Diverse
Tilpassede standarder
IEEE 1667
Pakkedetaljer
Boks
Ovenstående informasjon/spesifikasjoner er veiledende og kan uten varsel bli endret av produsenten. Det tas forbehold om trykkfeil og illustrerende bilder. Enkelte tekster kan være autogenerert eller maskinoversatt, så derfor kan det forekomme tekster som virker misvisende.